Переключательный мощный высоковольтный n-p-n транзистор 2Т845А/ИМ

Кремниевый планарный переключательный мощный n-р-n транзистор "2Т845А/ИМ" в металлостеклянном корпусе предназначен для использования в схемах вторичных источников электропитания, высоковольтных ключевых схемах, а также других узлах и блоках аппаратуры специального назначения. Диапазон рабочих температур окружающей среды от - 60 до 125 С.

Особенности

• Категория качества ВП.
• Напряжение коллектор-эмиттер 400 В.
• Ток коллектора 5 А.
• Мощность коллектора 50 Вт.
• Коэффициент передачи тока 15 …100

 Обозначение технических условий - АЕЯР.432140.255 ТУ. Корпусное исполнение - металлостеклянный корпус КТ-9 (ТО-3).

Требования надежности

Минимальная наработка транзистора Тн.м. в режимах и условиях, допускаемых ТУ, должна быть не менее 25 000 ч, а в облегченных режимах (РК max = 0,7 РК max; Ткор = 100 С, Тпер = 125 С) – 50 000 ч. Гамма - процентный срок сохраняемости Тс транзистора при = 99,5 % при хранении в упаковке изготовителя в условиях отапливаемых хранилищ, хранилищ с кондиционированием воздуха по ГОСТ В 9.003, а также вмонтированных в защищенную аппаратуру или находящихся в защищенном комплекте ЗИП во всех местах хранения, должен быть не менее 25 лет. Значения Тс в условиях, отличных от указанных в зависимости от мест хранения, приведены в таблице 2 ГОСТ В 28146.

Конструктивные требования

• Масса транзистора не более 20 г.
• Показатель герметичности транзистора не более 5 ·10-4 л·мкм рт.ст/с.
• Значение растягивающей силы, направленной вдоль оси вывода, не более 20 (2,00) Н (кгс).
• Минимальное расстояние от корпуса до места пайки выводов 5 мм.

Условия эксплуатации

Расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) не менее 5 мм. При распайке температура корпуса не должна превышать 125 С. За температуру корпуса принимается температура любой точки основания транзистора диаметром не более 19 мм со стороны опорной плоскости. Допускаются другие режимы и условия пайки при обеспечении сохранения целостности конструкции и надежности транзистора, что должно подтверждаться проведением ресурсных испытаний на предприятии-потребителе. Не допускается прикладывать к выводам вращающих и изгибающих усилий. Транзистор необходимо применять с теплоотводом. Крепление транзистора к теплоотводу должно обеспечивать надежный тепловой контакт. Не рекомендуется эксплуатация транзистора при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами во всем диапазоне температур. При конструировании схем следует учитывать возможность самовозбуждения за счет паразитных связей.