Мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор КП751А1

Голосов пока нет
Под заказ

Связаться с менеджером

Мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор КП751А1 предназначен для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры. Зарубежные прототипы – IRF720, IRF721, IRF722. Диапазон рабочих температур корпуса от - 55 до + 150°C. Обозначение технических условий АДБК 432140.686 ТУ. Корпусное исполнение-пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220).

Назначение выводов
Вывод Назначение
№1 Затвор
№2 Сток
№3 Исток
Основные электрические параметры КП751
Параметры Обозначение Ед.изм. Режимы измерения Min Max
Пороговое напряжение Uзи поp В Iс=250мкА,Uзи=Uси 2,0 4,0
Ток стока КП751А,Б КП751В А tи 300мкс, Q 50 Uси=7,0B,Uзи=10В Uси=7,0B,Uзи=10В  

3,3

2,8

 
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии КП751А,Б

КП751В

Rси отк Ом tи 300мкс, Q 50

 

Iс=2,0А,Uзи=10В Iс=2,0А,Uзи=10В

   

 

1,8

2,5

Остаточный ток стока Iс ост мкА Uси=Uси max,Uзи=0   250
Ток утечки затвора Iз ут нА Uси=0,Uзи=±20В -100 +100
Крутизна ВАХ S А/B tи 300мкс, Q 50 Uси=29В,Iс=2,0А  

1,7

 
Прямое напряжение диода КП751А,В

КП751Б

Uпр В tи 300мкс, Q 50 Ic=3,3A,Uзи=0 Ic=2,8A,Uзи=0    

1,6

1,6

Время включения/выключения * tвкл/ tвыкл нс tи 300мкс, Q 50, Uси=200В,Iс=3,3А,

Rг=18 Ом,Rси=56 Ом

   

40/70

Тепл. сопрот. переход-корпус * Rt п-к °С/Вт     2,5
Входная емкость * C11и пФ Uзи=0,Uси=25В, f=1МГц   600
Выходная емкость * C22и пФ Uзи=0,Uси=25В, f=1МГц   180
Проходная емкость * C12и пФ Uзи=0,Uси=25В, f=1МГц   70
Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КП751
Параметры Обозначение Ед. изм. Предельные значения
А Б В
Напряжение сток-исток Uси max В 400 350 400
Напряжение затвор-исток Uзи max В ±20 ±20 ±20
Постоянный ток стока Iс max А 3,3 3,3 2,8
Импульсный ток стока Iс и max А 13 13 11
Рассеиваемая мощность Pmax Вт 50 50 50
Прямой ток диода Iпр. max А 3,3 3,3 2,5
Температура перехода Тпеp °С 150 150 150