• Микросхема интегральная полупроводниковая 512ПС6

Микросхема интегральная полупроводниковая 512ПС6

Average: 2 (1 vote)
Под заказ

Связаться с менеджером

Микросхема интегральная полупроводниковая 512ПС6 представляет собой временное устройство с переменным коэффициентом деления, предназначенное для использования в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Обозначение технических условий бКО.347.305 ТУ1/ТУ2. Диапазон рабочих температур от - 60 до + 125С.

Корпусное исполнение

  • корпус 401.14-4,
  • корпус 401.14-5M
Технические характеристики
Наименование Буквенное обозначение Единицы измерения Режимы измерения Min Max
Выходное напряжение низкого уровня: по выводу 06 по выводу 08 по выводу 09 UOL В Ucc=5В±20% RL=510кОм UIH 0,7UCC UIL=0,3UCC RL=510кОм UIL=0,3UCC RL=510кОм UIH=UCC -

-

 0,2 0,2UCC

0,2UCC
Выходное напряжение высокого уровня по выводу 06 по выводу 08 по выводу 09 UOH В Ucc=5В±20% IО= -100мкА UIH 0,7UCC RL=510кОм UIH 0,7UCC RL=510кОм UIH=UCC 0,85Ucc 0,72Ucc

0,72Ucc

 -

-

-
Ток потребления при высоком уровне выходного напряжения ICCH мкА Ucc=5В±20% - 20
Ток потребления при низком уровне выходного напряжения ICCL мкА Ucc=5В±20% - 20
Ток потребления (в режиме сброса) ICC мкА Ucc=5В±20% - 28
Динамический ток потребления ICCО мкА Ucc=5В±20% f=40кГц - 100
Напряжение питания Ucc= 5В±20%