Пн - Пт с 09:00 до 18:00 по МСК, без перерывов
Матрица диодная Y27.340.010 ТУ применяется для защиты сверх высокочувствительных изделий микроэлектроники по цепям питания от напряжений и статического электричества.
Основные преимущества
Данные матрицы обладают следующими преимуществами:
- низким шумом;
- высоким быстродействием;
- широким диапазоном рабочих температур.
Конструкция и принцип работы
Матрицы Y27.340.010 ТУ выполнены на арсениде галлия и представляют собой комбинацию определенным образом включенных диодов с барьером Шоттки. В зависимости от количества задействованных диодов, обеспечивается биполярная защита изделий микроэлектроники с напряжением питания 0,5 - 6 В.
Электрическое соединение МИС с элементами сборочных единиц осуществляется через контактные площадки путем термокомпрессии или импульсной сварки.
|
Параметр |
Норма |
|
Падение напряжения при токе в прямом направлении 1 мА |
0,5 - 1 В |
|
Дифференциальное сопротивление в интервале тока в прямом направлении (5-10) мА |
7 - 15 Ом |
|
Максимально допустимый ток в прямом направлении |
50 мА |
|
Диапазон рабочих температур |
от - 255 до +85°C |
|
Габаритные размеры матрицы |
1,5 x 1 x 0,1 мм |

Рис. 1 - схема соединения 12 диодов матрицы





