Пн - Пт с 09:00 до 18:00 по МСК, без перерывов
Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор 2Т635А
Под заказ
Связаться с менеджером
Кремниевый эпитаксиально-планарный быстродействующий переключающий n-p-n транзистор "2Т635А" в металлическом корпусе с изоляторами, предназначенный для работы в аппаратуре специального назначения. Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 125 С. Обозначение технических условий - аАО.339.051 ТУ. Корпусное исполнение - металлический корпус КТ2-7 (TO-39).
| Наименование | Буквенное обозначение | Норма | ||
| не менее | не более | |||
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером, (UКЭ = 1 В, IК = 500 мА) | h21Э | 25 | 150 | |
| Обратный ток коллектора, мкА, (UКБ = 60 В) | IКБО | 10 | ||
| Обратный ток эмиттера, мкА, (UЭБ = 5 В) | IЭБО | 10 | ||
| Обратный ток коллектор-эмиттер, мкА, (UКЭ = 60 В, RБЭ = 0) | IКЭК | 10 | ||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В, (IК = 500 мА, IБ = 50 мА) | UКЭ нас | 0,5 | ||
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В, (IК = 500 мА, IБ = 50 мА) | UБЭ нас | 1,2 | ||
| Граничное напряжение, В, (IЭ = 10 мА, IБ = 0) | UКЭОгр | 45 | ||
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером, МГц, (UКЭ = 10 В, IК = 50 мА, f = 100 МГц) | fгр | 250 | ||
| Емкость коллекторного перехода, пФ, (UКБ = 10 В, IЭ = 0, f = 10 МГц) | СК | 10 | ||
| Емкость эмиттерного перехода, пФ, (UЭБ = 0, IК = 0, f = 10 МГц) | СЭ | 90 | ||
| Время выключения, нс, (IК = 500 мА, IБ1 = IБ2 = 50 мА, tи 30 мкс, Q 50) | tвыкл | 60 | ||
