Пн - Пт с 09:00 до 18:00 по МСК, без перерывов
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы 2П771А
Под заказ
Связаться с менеджером
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы «2П771А» с изолированным затвором, обогащением n-канала, и встроенным обратносмещенным диодом предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Зарубежные прототипы - STP40N10.
Особенности
- Диапазон рабочих температур корпуса от - 60 до + 100 C.
- Категория качества ВП.
- Корпусное исполнение - пластмассовый корпус КТ-28-2 (ТО-220).
Стойкость к воздействию спецфакторов - И1, И2, И3, К1 – 1У; С3 - 0.7х1У; К3 - 0.5х1У в соответствии с ГОСТ В 20.39.404 – 81.
Обозначение технических условий: АЕЯР.432140.243ТУ.
| Паpаметpы | Буквенное обозначение | Ед. изм. | Норма |
| Напpяжение сток-исток | Uси max | В | 100 |
| Напpяжение затвор-исток | Uзи max | В | ±20 |
| Постоянный ток стока при Ткорп 25 С | Iс max | А | 40 |
| Постоянный ток стока при Ткорп 100 С | Iс max | А | 28 |
| Импульсный ток стока (tи 80 мкс) | Iс и max | А | 160 |
| Постоянный прямой ток диода | Iпр. max | А | 40 |
| Постоянный импульсный прямой ток диода | Iпр. и max | А | 160 |
| Максимально допустимая энергия одиночного импульса, рассеиваемая транзистором в режиме лавинного пробоя Uси=25 В, I с=40 А, Rr =25 Ом, L= 190 мкГн | ЕAS | мДж | 210 |
| Рассеиваемая мощность при Т корп. 25 С | Pmax | Вт | 150 |
| Темпеpатуpа пеpехода (кристалла) | Тпеp | С | 175 |
| Тепловое сопротивление переход-корпус | Rtп-к | С / Вт | 1,0 |
| Тепловое сопротивление переход-среда (для КТ-28-2) | Rtп-среда | С / Вт | 62,5 |
