Импульсные диодные матрицы КД908А

Голосов пока нет
Под заказ

Связаться с менеджером

Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диодные матрицы полупроводниковые (ДМП) КД908А в металлостеклянном корпусе, изготавливаемые для нужд народного хозяйства.

Основные электрические параметры
Параметры Обознач. Ед. измер. Режимы измерения Максим.
Постоянный обратный ток Iобр мкА Uобр=40B 5
Постоянное прямое напряжение Uпр В Iпр=200мА 1,2
Общая ёмкость диода ДМП С пФ Uf==0 5
Время обратного восстановления tвос нс Iпр=200мА Uобр,u=1B Iобр,отсч=3мА 30
Предельно-допустимые режимы эксплуатации
Параметры Обозначение Единица измерения Значение Примечание
Максимально допустимое постоянное обратное напряжение UR max B 40 1
Максимально допустимое импульсное обратное напряжение при длительности импульса не более 2 мкс и скважностью не менее 10 URM max B 60 1,2
Максимально допустимый средний прямой ток , через любой одиночный диод или любое количество диодов ДМП при температуре

минус 60 до +35 С

при температуре 125 С

IFAV max мА  

200

100

3
Максимально допустимый импульсный прямой ток, при длительности импульса не более 10 мкс и скважности не менее 20 без превышения IFAV max через любой одиночный диод или любое количество диодов в ДМП при температуре от минус 60 до +35 С

при температуре +125 С

IFM max мА 1500

750

3